内存对比

　　内存对比

SmartQ 智器 T10 主板走线

SmartQ 智器 T10 SCSemicon华芯半导体DDR2内存颗粒（共512MB）

艾诺 NOVO8 领先版 主板走线

艾诺 NOVO8 领先版 Hynix DDR2内存芯片 4颗共512MB

左侧的两枚三星芯片是台电T760的内存芯片，规格为512MB  DDR3

　　SmartQ智器T10采用SCSemicon华芯半导体DDR2内存颗粒，共512MB；艾诺NOVO8领先版采用Hynix DDR2内存芯片，4颗共512MB；台电T760采用两枚三星DDR3内存芯片，规格为512MB。